Chinesische Wissenschaftler schaffen einen revolutionären Chip: Dicke des Speichers – ein Atom.

Chinesische Wissenschaftler schaffen einen revolutionären Chip: Dicke des Speichers – ein Atom
Chinesische Wissenschaftler schaffen einen revolutionären Chip: Dicke des Speichers – ein Atom

Nach Angaben von Korrespondent.net: Wissenschaftler der Fudan-Universität in Shanghai haben einen Hybridchip entwickelt, der zweidimensionale Speichermodule mit einer Dicke von nur einem Atom mit traditioneller Siliziumarchitektur kombiniert. Diese Nachricht wurde auf der Website Notebookcheck veröffentlicht, mit einem Verweis auf die Forschung im Journal Nature.

Atom2Chip-Technologie

Die neueste Technologie basiert auf dem System Atom2Chip, das eine Monoschicht aus Molybdän-Disulfid direkt auf die Oberfläche des CMOS-Chips integriert. Die Dicke des Materials beträgt nur eine atomare Schicht. Um es vor Beschädigungen zu schützen, hat das Team ein spezielles Schutzsystem und eine Architektur entwickelt, die die Verbindung zwischen den zweidimensionalen Schaltungen und der Siliziumbasis gewährleistet.

Prototyp des Chips

Der entwickelte Prototyp ist ein NOR-Flash-Speicherchip mit einer Kapazität von 1 Kilobyte, der bei einer Frequenz von 5 Megahertz arbeitet. Er ist in der Lage, Lese-, Schreib- und Löschoperationen auf externe Befehle auszuführen; die Programmier- oder Löschzeit beträgt nur 20 Nanosekunden.

Entwicklungsperspektiven

Die Integration von zweidimensionalen Materialien mit Siliziumstrukturen trägt dazu bei, physikalische Grenzen bei der weiteren Miniaturisierung von Halbleitern zu überwinden. Die traditionelle Siliziumtechnologie hat bereits ihre Grenzen bei der Reduzierung der Transistorgrößen erreicht, während zweidimensionale Materialien neue Möglichkeiten für die Schaffung von ultradünnen und leistungsstarken elektronischen Komponenten eröffnen.

Laut den Forschern hat diese Technologie das Potenzial, die Grundlage für die nächste Generation von Prozessoren und Chips zu werden, die hohe Leistung mit Kompaktheit kombiniert.

Darüber hinaus wurde kürzlich bekannt, dass Samsung plant, 2027 ein Speichermedium der neuen Generation mit 512 TB herauszubringen.

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Die Entwicklung des Hybridchips weist auf eine neue Phase in den Speichtechnologien hin, die die Elektronik revolutionieren könnte. Der Einsatz von zweidimensionalen Materialien könnte die Größe von Geräten verringern und gleichzeitig deren Leistung erhöhen. Dies öffnet Türen nicht nur für neue Produkte, sondern auch für die Verbesserung bestehender Technologien.


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